BERNSTEIN博恩斯坦磁敏傳感器
磁傳感器未來的發(fā)展趨勢有以下幾種特點：高靈敏度。被檢測信號的強(qiáng)度越來越弱，這就需要磁性傳感器靈敏度得到極大提高。應(yīng)用方面包括電流傳感器、角度傳感器、齒輪傳感器、太空環(huán)境測量。溫度穩(wěn)定性。更多的應(yīng)用領(lǐng)域要求傳感器的工作環(huán)境越來越嚴(yán)酷，這就要求磁傳感器必須具有很好的溫度穩(wěn)定性，行業(yè)應(yīng)用包括汽車電子行業(yè)。抗干擾性。很多領(lǐng)域里傳感器的使用環(huán)境沒有任何評比，就要求傳感器本身具有很好的抗干擾性。包括汽車電子、水表等等。小型化、集成化、智能。要想做到以上需求，這就需要芯片級的集成，模塊級集成，產(chǎn)品級集成。高頻特性。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的推廣，要求傳感器的工作頻率越來越高，應(yīng)用領(lǐng)域包括水表、汽車電子行業(yè)、信息記錄行業(yè)。低功耗。很多領(lǐng)域要求傳感器本身的功耗極低，得以延長傳感器的使用壽命。應(yīng)用在植入身體內(nèi)磁性生物芯片，指南針等等。

磁傳感器的發(fā)展,在本世紀(jì)70～80 年代形成高潮。90 年代是已發(fā)展起來的這些磁傳感器的成熟和完善的時期。集成電路技術(shù)的應(yīng)用。將硅集成電路技術(shù)用于磁傳感器,開始于1967 年。Honeywell 公司Mi2croswitch 分部的科技人員將Si 霍爾片和它的訊號處理電路集成到一個單芯片上,制成了開關(guān)電路,首開了單片集成磁傳感器之先河。已經(jīng)出現(xiàn)了磁敏電阻電路、巨磁阻電路等許多種功能性的集成磁傳感器。InSb 薄膜技術(shù)的開發(fā)成功,使InSb 霍爾元件產(chǎn)量大增,成本大幅度下降。zui先運用這種技術(shù)獲得成功的日本旭化成電子公司,如今可年產(chǎn)5 億只以上。強(qiáng)磁性合金薄膜。1975 年面市的強(qiáng)磁合金薄膜磁敏電阻器利用的是強(qiáng)磁合金薄膜中的磁敏電阻各向異性效應(yīng)。在與薄膜表面平行的磁場作用下,以坡莫合金為代表的強(qiáng)磁性合金薄膜的電阻率呈現(xiàn)出2 [%]～5 [%]的變化。利用這種效應(yīng)已制成三端、四端磁阻器件。四端磁阻橋已大量用于磁編碼器中,用來檢測和控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此外,還作成了磁阻磁強(qiáng)計、磁阻讀頭以及二維、三維磁阻器件等。它們可檢測10 - 10～10 - 2 T 的弱磁場,靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好, 將成為弱磁場傳感和檢測的重要器件。BERNSTEIN博恩斯坦磁敏傳感器

BERNSTEIN是優(yōu)質(zhì)機(jī)械式低壓開關(guān)設(shè)備領(lǐng)域的制造商。我們的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于不同的場合，從施工升降機(jī)到木材加工，從包裝機(jī)器到機(jī)床，均可見到我們產(chǎn)品的身影。除了功能穩(wěn)定、質(zhì)量可靠外，BERNSTEIN開關(guān)系統(tǒng)還可以顯著節(jié)省安裝和維護(hù)所需的時間。這些優(yōu)勢可以大幅降低停機(jī)維修和維護(hù)的時間，進(jìn)一步提高了終端產(chǎn)品生產(chǎn)過程的效益。為實現(xiàn)這些特性，通過采用快接接頭來節(jié)省拉線開關(guān)，或者使用AS-i組件，不但縮短了安裝時間，還減少了機(jī)器內(nèi)的硬件組件的數(shù)量和空間要求。

巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數(shù)和層間材料的不同組合,可以制成不同的機(jī)制的巨磁電阻磁傳感器。它們呈現(xiàn)出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研制高密度記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關(guān)注，已見有5 G字節(jié)的自旋閥頭的設(shè)計分析的報導(dǎo)。各種不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各種處理工藝的引入,給磁傳感器的研制注入了新的活力,已研制和生產(chǎn)出了雙芯多諧振蕩橋磁傳感器、非晶力矩傳感器、壓力傳感器、熱磁傳感器、非晶大巴克豪森效應(yīng)磁傳感器等。發(fā)現(xiàn)的巨磁感應(yīng)效應(yīng)和巨磁阻抗效應(yīng) ,比巨磁電阻的響應(yīng)靈敏度高一個量級,可能做成磁頭,成為高密度磁盤讀頭的有力競爭者。利用非晶合金的高導(dǎo)磁率特性和可做成細(xì)絲的機(jī)械特性,將它們用于磁通門和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。例如,在InP 襯底上用分子束外延技術(shù)生長In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶結(jié)構(gòu),產(chǎn)生二維電子氣層,其層厚是分子級的,這種材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變。用這種材料來制作霍爾元件,其靈敏度高于市售的InSb 和GaAs 元件,在296 K時為22. 5 V/ T ,靈敏度的溫度系數(shù)也有大的改善,用恒定電流驅(qū)動時,為-0. 0084 [%]/K。用這種材料,除可制造霍爾器件外,還可用以制造磁敏場效應(yīng)管、磁敏電阻器等。在國外,由于磁傳感器已逐漸被廣泛而大量地使用。